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  IR-Fototransistoren (1 Artikel)

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IR-Fototransistor 830 nm 35 V TO-18 (2 Angebote) 
Bezeichnung=IR-Fototransistor, Typ=BPY62-3/4, Abfallzeit max.=9 µs, Anstiegszeit max.=7 µs, Emitter-Kollektor-Spannung (UEKO) max.=7 V, Kollektor-Emitter-Spannung (UCEO) max.=35 V, Kollektor-Emitte...
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BPY62-3/4
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