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IR-Fototransistor 860 nm 20 V SMD (2 Angebote) Bezeichnung=IR-Fototransistor, Typ=VEMT2000X01, Abfallzeit max.=95 µs, Anstiegszeit max.=70 µs, Emitter-Kollektor-Spannung (UEKO) max.=7 V, Kollektor-Emitter-Spannung (UCEO) max.=20 V, Kollektor-Em... |
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ab CHF 0.22*
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IR-Fototransistor 860 nm 20 V SMD (2 Angebote) Bezeichnung=IR-Fototransistor, Typ=VEMT2020X01, Abfallzeit max.=95 µs, Anstiegszeit max.=70 µs, Emitter-Kollektor-Spannung (UEKO) max.=7 V, Kollektor-Emitter-Spannung (UCEO) max.=20 V, Kollektor-Em... |
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ab CHF 0.22*
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IR-Fototransistor 850 nm 70 V T-1 3/4 5 mm (4 Angebote) Bezeichnung=IR-Fototransistor, Typ=BPW96C, Abfallzeit max.=2.3 µs, Emitter-Kollektor-Spannung (UEKO) max.=5 V, Kollektor-Emitter-Spannung (UCEO) max.=70 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.... |
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