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  Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module (28 Artikel)

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STMICROELECTRONICS SCTW35N65G2V MOSFET, N-KANAL, 650V, 45A, 200°C, 240W (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 45 A Betr...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
ab CHF 9.37*
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STMICROELECTRONICS SCTW35N65G2VAG MOSFET, N-KANAL, 650V, 45A, 200°C, 240W (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 45 A Betr...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2VAG
ab CHF 9.72*
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STMICROELECTRONICS SCTW40N120G2V SIC-MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 36A, HIP247 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: HiP247 Da...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
ab CHF 12.39*
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STMICROELECTRONICS SCTW40N120G2VAG MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 33A, 200°C, 290W (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 33 A Betr...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
ab CHF 12.78*
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STMICROELECTRONICS SCTW60N120G2 MOSFET, SIC, 1.2KV, 60A, HIP247 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 60 A Betr...
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
ab CHF 21.02*
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STMICROELECTRONICS SCTW90N65G2V MOSFET, N-KANAL, 650V, 119A, 200°C, 565W (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 119 A Bet...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
ab CHF 21.01*
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STMICROELECTRONICS SCTWA35N65G2V MOSFET, SIC, 650V, 45A, HIP247 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: HiP247LL...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
ab CHF 9.60*
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STMICROELECTRONICS SCTWA35N65G2V-4 SIC-MOSFET, N-KANAL, 650V, 45A, HIP247 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 4 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: HiP247 D...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
ab CHF 11.23*
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STMICROELECTRONICS SCTWA40N120G2V-4 MOSFET, SIC, 1.2KV, 45A, HIP247 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen II Anzahl der Pins: 4 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: - Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transisto...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
ab CHF 13.92*
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STMICROELECTRONICS SCTWA60N120G2-4 MOSFET, SIC, N-KANAL, 1.2KV, 60A, HIP247 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 4 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 60 A Betr...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
ab CHF 21.08*
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STMICROELECTRONICS SCTWA90N65G2V MOSFET, SIC, N-KANAL, 650V, 119A, HIP247 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 119 A Bet...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V
ab CHF 23.43*
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STMICROELECTRONICS SCTWA90N65G2V-4 MOSFET, SIC, 650V, 119A, HIP247 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 4 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: HiP247 D...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
ab CHF 24.50*
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Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.169 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 20...
ST Microelectronics
SCT20N120
ab CHF 8.65*
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