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  Galliumnitrid (GaN)-FETs (13 Artikel)

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INFINEON IGLD60R070D1AUMA3 TRANSISTOR, GAN, 600V, 15A, 5.8NC, LSON (2 Angebote) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm Gate-Ladung, typ.: 5.8 nC Produktpalette: CoolGaN Bauform - Transistor: LSON Dauer-Drainstrom Id: 15 A Drain-Source-Spannung Vds: 600 V Anzahl der Pins: ...
Infineon
IGLD60R070D1AUMA3
ab CHF 7.07*
pro Stück
ab CHF 7.07*
pro Stück
INFINEON IGLD60R190D1AUMA3 TRANSISTOR, GAN, 600V, 10A, 3.2NC, LSON (2 Angebote) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19 ohm Gate-Ladung, typ.: 3.2 nC Produktpalette: CoolGaN Bauform - Transistor: LSON Dauer-Drainstrom Id: 10 A Drain-Source-Spannung Vds: 600 V Anzahl der Pins: ...
Infineon
IGLD60R190D1AUMA3
ab CHF 2.54*
pro Stück
ab CHF 2.54*
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INFINEON IGO60R070D1AUMA2 TRANSISTOR, GAN, 600V, 31A, 5.8NC, DSO (2 Angebote) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm Gate-Ladung, typ.: 5.8 nC Produktpalette: CoolGaN Bauform - Transistor: SOIC Dauer-Drainstrom Id: 31 A Drain-Source-Spannung Vds: 600 V Anzahl der Pins: ...
Infineon
IGO60R070D1AUMA2
ab CHF 6.40*
pro Stück
ab CHF 6.40*
pro Stück
INFINEON IGOT60R070D1AUMA3 TRANSISTOR, GAN, 600V, 31A, 5.8NC, DSO (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm Gate-Ladung, typ.: 5.8 nC Produktpalette: CoolGaN Bauform - Transistor: SOIC Dauer-Drainstrom Id: 31 A Drain-Source-Spannung Vds: 600 V Anzahl der Pins: ...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA3
ab CHF 7.41*
pro Stück
ab CHF 7.41*
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NEXPERIA GAN041-650WSBQ TRANSISTOR, GAN, 650V, 47.2A, TO-247 (2 Angebote) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041 ohm Produktpalette: - Gate-Ladung, typ.: 22 nC Dauer-Drainstrom Id: 47.2 A Bauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 V Anzahl der Pins: 3 ...
Nexperia
GAN041-650WSBQ
ab CHF 10.82*
pro Stück
ab CHF 10.82*
pro Stück
NEXPERIA GAN080-650EBEZ TRANSISTOR, GAN, 650V, 29A, DFN (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 ohm Gate-Ladung, typ.: 6.2 nC Produktpalette: - Bauform - Transistor: DFN8080 Dauer-Drainstrom Id: 29 A Drain-Source-Spannung Vds: 650 V Anzahl der Pins: 8 P...
Nexperia
GAN080-650EBEZ
ab CHF 4.27*
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ab CHF 4.27*
pro Stück
NEXPERIA GAN140-650EBEZ TRANSISTOR, GAN, 650V, 17A, DFN (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106 ohm Gate-Ladung, typ.: 3.5 nC Produktpalette: - Bauform - Transistor: DFN8080 Dauer-Drainstrom Id: 17 A Drain-Source-Spannung Vds: 650 V Anzahl der Pins: 8 ...
Nexperia
GAN140-650EBEZ
ab CHF 2.94*
pro Stück
ab CHF 2.94*
pro Stück
NEXPERIA GAN140-650FBEZ TRANSISTOR, GAN, 650V, 17A, DFN (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106 ohm Gate-Ladung, typ.: 3.5 nC Produktpalette: - Bauform - Transistor: DFN5060 Dauer-Drainstrom Id: 17 A Drain-Source-Spannung Vds: 650 V Anzahl der Pins: 8 ...
Nexperia
GAN140-650FBEZ
ab CHF 3.08*
pro Stück
ab CHF 3.08*
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NEXPERIA GAN190-650EBEZ TRANSISTOR, GAN, 650V, 11.5A, DFN (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138 ohm Gate-Ladung, typ.: 2.8 nC Produktpalette: - Bauform - Transistor: DFN8080 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 A Drain-Source-Spannung Vds: 650 V Anzahl der Pins: ...
Nexperia
GAN190-650EBEZ
ab CHF 2.22*
pro Stück
ab CHF 2.22*
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NEXPERIA GAN190-650FBEZ TRANSISTOR, GAN, 650V, 11.5A, DFN (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138 ohm Gate-Ladung, typ.: 2.8 nC Produktpalette: - Bauform - Transistor: DFN5060 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 A Drain-Source-Spannung Vds: 650 V Anzahl der Pins: ...
Nexperia
GAN190-650FBEZ
ab CHF 2.04*
pro Stück
ab CHF 2.04*
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NEXPERIA GAN3R2-100CBEAZ TRANSISTOR, GAN, 100V, 60A, WLCSP (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024 ohm Gate-Ladung, typ.: 9.2 nC Produktpalette: - Bauform - Transistor: WLCSP Dauer-Drainstrom Id: 60 A Drain-Source-Spannung Vds: 100 V Anzahl der Pins: 8 P...
Nexperia
GAN3R2-100CBEAZ
ab CHF 2.78*
pro Stück
ab CHF 2.78*
pro Stück
NEXPERIA GAN7R0-150LBEZ TRANSISTOR, GAN, 150V, 28A, FCLGA (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 ohm Gate-Ladung, typ.: 7.6 nC Produktpalette: - Bauform - Transistor: FCLGA Dauer-Drainstrom Id: 28 A Drain-Source-Spannung Vds: 150 V Anzahl der Pins: 3 P...
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GAN7R0-150LBEZ
ab CHF 1.14*
pro Stück
ab CHF 1.14*
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ROHM GNP1070TC-ZE2 TRANSISTOR, GAN, 650V, 20A, DFN8080K (1 Angebot) 
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm Gate-Ladung, typ.: 5.2 nC Produktpalette: - Bauform - Transistor: DFN8080K Dauer-Drainstrom Id: 20 A Drain-Source-Spannung Vds: 650 V Anzahl der Pins: 8 ...
ROHM Semiconductor
GNP1070TC-ZE2
ab CHF 5.10*
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ab CHF 5.10*
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