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ROHM RD3H160SPTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 16 A, 3-Pin TO-252 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
RD3H160SPTL1
ab CHF 0.62*
pro Stück
 
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ROHM RSR010N10HZGTL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A, 3-Pin SOT-346T (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-346T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
RSR010N10HZGTL
ab CHF 0.29*
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ROHM IGBT / 48 ±30V max. , 650 V 1,74 mW To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 1,74 mW Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGT50TS65DGC13
ab CHF 1.75*
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100%
ROHM R6530KNX3C16 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
R6530KNX3C16
ab CHF 2.46*
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100%
ROHM RD3L050SNTL1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5 A, 3-Pin TO-252 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Si
ROHM Semiconductor
RD3L050SNTL1
ab CHF 0.354*
pro Stück
 
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100%
ROHM RSR020P05HZGTL P-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 2 A, 3-Pin SOT-346T (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Gehäusegröße = SOT-346T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Si
ROHM Semiconductor
RSR020P05HZGTL
ab CHF 0.21*
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100%
ROHM IGBT / 55 ±30V max. , 650 V 1,94 mW To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 55 Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 1,94 mW Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGT60TS65DGC13
ab CHF 1.87*
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100%
ROHM RCJ451N20TL N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 45 A, 3-Pin TO-263S (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = TO-263S Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
RCJ451N20TL
CHF 1’610.00*
pro 1’000 Stück
 
 Packung
100%
ROHM RD3L07BBGTL1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 115 A TO-252 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 115 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
RD3L07BBGTL1
ab CHF 1.11*
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ROHM RSR025N05HZGTL N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 2,5 A, 3-Pin SOT-346T (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Gehäusegröße = SOT-346T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Si
ROHM Semiconductor
RSR025N05HZGTL
ab CHF 0.22*
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ROHM R6007END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A, 3-Pin TO-252 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
R6007END3TL1
ab CHF 0.623*
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ROHM RD3G03BBGTL1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 65 A TO-252 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 65 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
RD3G03BBGTL1
ab CHF 0.532*
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ROHM RD3P100SNTL1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A, 3-Pin TO-252 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
RD3P100SNTL1
ab CHF 0.444*
pro Stück
 
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100%
ROHM RSR030N06HZGTL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3 A, 3-Pin SOT-346T (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-346T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Si
ROHM Semiconductor
RSR030N06HZGTL
ab CHF 0.30*
pro Stück
 
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ROHM R6520KNX3C16 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
R6520KNX3C16
ab CHF 1.65*
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