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Vishay SIS9634LDN-T1-GE3 Dual N-Kanal Quad, SMD MOSFET 60 V / 6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = Dual N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro...
Vishay
SIS9634LDN-T1-GE3
ab CHF 0.55*
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91%
Vishay SIS862ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ Channel-Modus = En...
Vishay
SIS862ADN-T1-GE3
ab CHF 9.62*
pro 25 Stück
 
 Packung
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Vishay SISH107DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 34,4 A, 8-Pin 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 34,4 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISH107DN-T1-GE3
ab CHF 0.257*
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91%
Vishay SISH103DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 54 A, 8-Pin 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 54 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SISH103DN-T1-GE3
ab CHF 0.302*
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91%
Vishay SISH103DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 54 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 54 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISH103DN-T1-GE3
ab CHF 0.47*
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Vishay SIS9446DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 34 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
SIS9446DN-T1-GE3
ab CHF 0.78*
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91%
Vishay SISS4410DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 36 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon
Vishay
SISS4410DN-T1-GE3
ab CHF 1’271.64*
pro 3’000 Stück
 
 Packung
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Vishay SQS180ELNW-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 141 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 141 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQS180ELNW-T1_GE3
ab CHF 0.60*
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91%
Vishay TrenchFET SiS178LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 45,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45,3 A Drain-Source-Spannung max. = 70 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0095 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Vishay
SiS178LDN-T1-GE3
ab CHF 0.275*
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91%
Vishay SISH107DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 34,4 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 34,4 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISH107DN-T1-GE3
ab CHF 0.40*
pro Stück
 
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Vishay TrenchFET SiS178LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 70 V / 45,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45,3 A Drain-Source-Spannung max. = 70 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0095 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Vishay
SiS178LDN-T1-GE3
ab CHF 0.35*
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91%
Vishay SQS460EN-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SQS460EN-T1_GE3
ab CHF 0.50*
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Vishay TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 24,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0255 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SiS890ADN-T1-GE3
ab CHF 0.299*
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Vishay SISS4410DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 36 A, 8-Pin 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISS4410DN-T1-GE3
ab CHF 0.43*
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Vishay TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 24,7 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0255 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SiS890ADN-T1-GE3
ab CHF 0.36*
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