IGBT  (2’130 Angebote unter 5’551’160 Artikeln)

Quellstrom: 350 mA Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V Anzahl der Pins: 24 Pin(s) Sinkstrom: -650 mA Treiberkonfigurati...

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Verlustleistung max. = 395 W Gehäusegröße = PG-TO247-3

Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = 15V Verlustleistung max. = 170 W Gehäusegröße = TO247PLUS

Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = Ref-SIC-D2PAK-BP / EVAL-1ED020I12F2-DB Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 1ED60H12AH, ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1100 V Gate-Source Spannung max. = 5.8V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 652 W Gehäusegröße = PG-TO247-3-46

Produktpalette: TRENCHSTOP RC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannu...

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 652 W Gehäusegröße = PG-TO247-3-46

Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = PG-TO252-3

Klassifizierung = Entwicklungsplatine Kit-Name = 1EDI30XXASEVALBOARDTOBO1 Technologie = IGBT-Gate-Ansteuerung

Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: HSIP247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8 V Kontinuierlicher Kollektorstrom:...

Funktion für Stromüberwachungseinheiten = 3-Phasen-Wechselrichter Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Kit-Name = EVAL-M3-TS6-665PN

Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 V Kontinuierlicher Kollektorstrom: ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 335 W Gehäusegröße = AG-ECONO2B-411

Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 V Kontinuierlicher Kollektorstrom: ...