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"MOSFET"

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onsemi SupreMOS FCH47N60NF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 46 A 368 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 46 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SupreMOS Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gat...
onsemi
FCH47N60NF
ab CHF 6.14*
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VISHAY SISS10DN-T1-GE3 MOSFET N-KANAL 40V 60A POWERPAK 1212-8S (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform -...
Vishay
SISS10DN-T1-GE3
ab CHF 0.499*
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onsemi PowerTrench FDS8884 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = PowerTrench Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...
onsemi
FDS8884
CHF 0.22*
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VISHAY SISS30ADN-T1-GE3 MOSFET N-KAN 80V/54.7A/POWERPAK 1212-8S (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Dra...
Vishay
SISS30ADN-T1-GE3
ab CHF 0.47*
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onsemi PowerTrench FDS6975 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 32 mΩ Channel-Modus = Enhancement Ve...
onsemi
FDS6975
CHF 0.58*
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VISHAY SISS22LDN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 60V, 92.5A, 150°C (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00291 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Ka...
Vishay
SISS22LDN-T1-GE3
ab CHF 0.413*
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onsemi QFET FQT4N20LTF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 850 mA 2,2 W, 3-Pin SOT-223 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 850 mA Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,35 Ω Channel-Modus = Enhanc...
onsemi
FQT4N20LTF
ab CHF 0.25*
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VISHAY SISS30LDN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 80V, 55.5A, 150°C, 57W (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00705 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Ka...
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
ab CHF 0.431*
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VISHAY SISS23DN-T1-GE3 MOSFET P-KANAL -20V, -50A, POWERPAK 1212 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 ohm Produktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp:...
Vishay
SISS23DN-T1-GE3
ab CHF 0.235*
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VISHAY SISS32DN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 80V, 63A, 150°C, 65.7W (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kana...
Vishay
SISS32DN-T1-GE3
ab CHF 0.458*
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onsemi PowerTrench FDS86106 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 3,4 A 5 W, 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = PowerTrench Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 177 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...
onsemi
FDS86106
CHF 0.51*
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VISHAY SISS26LDN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 60V, 81.2A, 150°C, 57W (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kan...
Vishay
SISS26LDN-T1-GE3
ab CHF 0.45*
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VISHAY SISS42LDN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 100V, 39A, 150°C, 57W (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kan...
Vishay
SISS42LDN-T1-GE3
ab CHF 0.45*
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Vishay TrenchFET SISS27DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 23 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
Vishay
SISS27DN-T1-GE3
ab CHF 0.283*
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onsemi PowerTrench FDS9435A P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...
onsemi
FDS9435A
CHF 0.26*
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