MOSFET  (20’042 Angebote unter 5’421’395 Artikeln)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 70 ...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 100...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerDI5060-8

Littelfuse IXFA102N15T MOSFET Single 455 W TO-263 DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 TO-263D2 Technische Daten: Ausführung (Transistoren): Single · Gehäuseart (Halbleiter): TO-263 · I(d): 102 A · Leistung...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 26 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerDI3333-8

IXYS IXFP180N10T2 MOSFET 1 N-Kanal 480 W TO-220AB Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betrieb...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: - B...

IXYS IXTK550N055T2 MOSFET 1 N-Kanal 1250 W TO-264 Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebs...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IRFL024NTRPBF, Abfallzeit=17.7 ns, Anstiegzeit=13.4 ns, Ausschaltverzögerung=22.2 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 50 ...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PowerDI5060-8

IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220AB Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 1000 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebs...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: - B...