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  MOSFET  (20’296 Angebote unter 5’551’943 Artikeln)

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"MOSFET"

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ROHM RX3L07BBGC16 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 105 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
RX3L07BBGC16
ab CHF 1.51*
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Infineon IPDD60R050G7 Transistor 600 V (1 Angebot)
Infineon
IPDD60R050G7XTMA1
ab CHF 5.40*
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Taiwan Semiconductor TSM042N03CS RLG MOSFET Tape on Full reel (1 Angebot) 
Taiwan Semiconductor TSM042N03CS RLG MOSFET Tape on Full reel N-Ch 30V 30A 7W 0,0042R SO8 Technische Daten: Betriebstemperatur (max.): 175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Montageart:...
Taiwan Semiconductor
TSM042N03CS RLG
ab CHF 0.93*
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ROHM SH8MC5TB1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 7 A, 8-Pin SOP (2 Angebote) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A, 7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,032 (N-Kanal). 0,033 Ω (P...
ROHM Semiconductor
SH8MC5TB1
ab CHF 0.678*
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Infineon IPP180N10N3 G, IRS2005S, IRS2007S, IRS2008S Evaluierungsplatine, EVAL-PS-IRS200X MOSFET-Gate-Ansteuerung (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = MOSFET-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = Schrittmotor-Antriebe Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = IPP180N10N3 G, IRS2005S, IR...
Infineon
EVALPSIRS200XTOBO1
ab CHF 179.95*
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STMicroelectronics VNP5N07-E MOSFET 1 N-Kanal 31 W TO-220 (1 Angebot) 
STMicroelectronics VNP5N07-E MOSFET 1 N-Kanal 31 W TO-220 STM Leistungs-MOSFETs autoprot. VNP_ TO2 Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 70 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren)...
ST Microelectronics
VNP5N07-E
ab CHF 1.61*
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ROHM RX3L18BBGC16 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 240 A, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 240 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Si
ROHM Semiconductor
RX3L18BBGC16
ab CHF 3.37*
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Infineon IPN60R360P7SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9 A, 3-Pin SOT-223 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 360 mO Gate-Schwellenspannung ma...
Infineon
IPN60R360P7SATMA1
ab CHF 0.44*
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Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR RLG MOSFET Tape on Full reel (1 Angebot) 
Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR RLG MOSFET Tape on Full reel 2xN-Ch 40V 48A 48W 0,011R PDFN56 Technische Daten: Betriebstemperatur (max.): 150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Mont...
Taiwan Semiconductor
TSM110NB04DCR RLG
ab CHF 1.97*
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ROHM SP8J5FRATB MOSFET AEC-Q101, 2FACH P, -30V, -7A, SOP (1 Angebot) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V Dauer-Drainst...
ROHM Semiconductor
SP8J5FRATB
ab CHF 0.997*
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Infineon IPG20N06S4L14AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor 60 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1
ab CHF 0.66*
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ROHM RX3P07CBHC16 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
RX3P07CBHC16
ab CHF 2.21*
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Infineon IPDQ60R010S7 IPDQ60R010S7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 50 A, 22-Pin QDPAK (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = IPDQ60R010S7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 22 Drain-Source-Widerstand max. = 0,01 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
Infineon
IPDQ60R010S7XTMA1
CHF 14.24*
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Taiwan Semiconductor TSM05N03CW RPG MOSFET Tape on Full reel (1 Angebot) 
Taiwan Semiconductor TSM05N03CW RPG MOSFET Tape on Full reel N-Ch 30V 5A 3W 0,06R SOT223 Technische Daten: Betriebstemperatur (max.): 150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Montageart: ...
Taiwan Semiconductor
TSM05N03CW RPG
ab CHF 0.69*
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ROHM SP8K22 SP8K22HZGTB N-Kanal Dual, SMD MOSFET 45 V / 4,5 A, 8-Pin SOP (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A Drain-Source-Spannung max. = 45 V Serie = SP8K22 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,046 Ohm Channel-Modus = Enhancement G...
ROHM Semiconductor
SP8K22HZGTB
ab CHF 0.82*
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