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  Schalttransistor  (9’904 Angebote unter 5’434’783 Artikeln)

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"Schalttransistor"

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STMicroelectronics IGBT / 145 A ±20V max. , 650 V 441 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 145 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 441 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Ein...
ST Microelectronics
STGWA100H65DFB2
ab CHF 5.50*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65EHRC11
ab CHF 5.34*
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ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
ab CHF 2.87*
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STMicroelectronics IGBT / 15 A 600V max., 600 V 0,07 mW, 26-Pin SDIP2B (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 600V Verlustleistung max. = 0,07 mW Gehäusegröße = SDIP2B Pinanzahl = 26 Transistor-Konfiguration = S...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-LZ
ab CHF 10.33*
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ROHM IGBT / 48 A ±30V max. , 600 V 111 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 111 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
ab CHF 2.28*
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ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-3PFM Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
ab CHF 3.50*
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STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 167 W Gehäusegröße = To-247 lange Leitungen Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Serie
ST Microelectronics
STGWA30HP65FB2
ab CHF 1.58*
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STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = ECOPACK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = NPN Pinanza...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
ab CHF 14.08*
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 1200 V 395 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 395 W Konfiguration = Single Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
ab CHF 5.95*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3 Der Rohm Feldstopp-Trench-IGBT ...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DHRC11
ab CHF 4.97*
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 Stück
STMicroelectronics IGBT-Modul 5V max. 6-fach, 600 V SDIP2B-26L Typ X N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 5V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = SDIP2B-26L Typ X Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = Isoliert De...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-X
ab CHF 9.52*
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 174 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 174 W Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGTH50TS65DGC13
ab CHF 3.55*
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 267 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
ab CHF 3.82*
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STMicroelectronics SGT120R65AL Dual, SMD, THT MOSFET Transistor 750 V / 15 A, 4-Pin Rolle (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 750 V Gehäusegröße = Rolle Montage-Typ = SMD, THT Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
ST Microelectronics
SGT120R65AL
ab CHF 3.47*
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 254 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 254 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65CHRC11
ab CHF 10.07*
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