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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 1.2kV, 33A, TO-247-3L (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UJ3C120080K3S, Abfallzeit=14 ns, Anstiegzeit=14 ns, Ausschaltverzögerung=61 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Sp... |
United Silicon Carbide UJ3C120080K3S |
ab CHF 22.97*
pro Stück |
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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 1.2kV, 65A, TO-247-4 (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C120040K4S, Abfallzeit=9 ns, Anstiegzeit=27 ns, Ausschaltverzögerung=50 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spa... |
United Silicon Carbide UF3C120040K4S |
ab CHF 48.80*
pro Stück |
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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 25A, D2PAK-3 (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UJ3C065080B3, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=13 ns, Ausschaltverzögerung=59 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spa... |
United Silicon Carbide UJ3C065080B3 |
ab CHF 12.15*
pro Stück |
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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 31A, TO-220 (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UJ3C065080T3S, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=13 ns, Ausschaltverzögerung=59 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Sp... |
United Silicon Carbide UJ3C065080T3S |
ab CHF 14.14*
pro Stück |
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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 41A, D2PAK-3 (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065040B3, Abfallzeit=12 ns, Anstiegzeit=15 ns, Ausschaltverzögerung=58 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spa... |
United Silicon Carbide UF3C065040B3 |
ab CHF 28.41*
pro Stück |
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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 54A, TO-247-3L (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065040K3S, Abfallzeit=13 ns, Anstiegzeit=24 ns, Ausschaltverzögerung=57 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Sp... |
United Silicon Carbide UF3C065040K3S |
ab CHF 34.24*
pro Stück |
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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 54A, TO-247-4 (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065040K4S, Abfallzeit=8 ns, Anstiegzeit=22 ns, Ausschaltverzögerung=45 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spa... |
United Silicon Carbide UF3C065040K4S |
ab CHF 32.91*
pro Stück |
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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 85A, TO-220 (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UJ3C065030T3S, Abfallzeit=15 ns, Anstiegzeit=22 ns, Ausschaltverzögerung=56 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Sp... |
United Silicon Carbide UJ3C065030T3S |
ab CHF 34.17*
pro Stück |
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SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 85A, TO-247-3L (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UF3C065030K3S, Abfallzeit=18 ns, Anstiegzeit=28 ns, Ausschaltverzögerung=59 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Sp... |
United Silicon Carbide UF3C065030K3S |
ab CHF 53.33*
pro Stück |
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SiC-Normally-On-JFET, 20V, TO-247-3L, N-Kanal (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-Normally-On-JFET, Typ=UJ3N120035K3S, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=1.2 kV, Durchschlagspannung=1.2 kV, Gate-Source-En... |
United Silicon Carbide UJ3N120035K3S |
ab CHF 41.09*
pro Stück |
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SiC-Normally-On-JFET, 20V, TO-247-3L, N-Kanal (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-Normally-On-JFET, Typ=UJ3N065080K3S, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Durchschlagspannung=650 V, Gate-Source-Entl... |
United Silicon Carbide UJ3N065080K3S |
ab CHF 17.19*
pro Stück |
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SiC-Schottky-Diode, 10A, 1.2kV, TO-247-3L 1.2kV 10A TO-247-3L Dual (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-Schottky-Diode, Typ=UJ3D1210KSD, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Durchlassspannung (Vf)=1.4 V, Kapazität=500 pF, Leistungsverteilung (PV)=272 W, Mi... |
United Silicon Carbide UJ3D1210KSD |
ab CHF 12.84*
pro Stück |
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SiC-Schottky-Diode, 10A, 650V, TO-220 650V 10A TO-220 Einfach (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-Schottky-Diode, Typ=UJ3D06510TS, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Durchlassspannung (Vf)=1.5 V, Kapazität=327 pF, Leistungsverteilung (PV)=136.4 W, ... |
United Silicon Carbide UJ3D06510TS |
ab CHF 4.01*
pro Stück |
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SiC-Schottky-Diode, 20A, 1.2kV, TO-247-3L 1.2kV 20A TO-247-3L Dual (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-Schottky-Diode, Typ=UJ3D1220KSD, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Durchlassspannung (Vf)=1.4 V, Kapazität=1.02 nF, Leistungsverteilung (PV)=468.8 W,... |
United Silicon Carbide UJ3D1220KSD |
ab CHF 17.12*
pro Stück |
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SiC-Schottky-Diode, 20A, 650V, TO-247-3L 650V 20A TO-247-3L Dual (1 Angebot) Bezeichnung=SiC-Schottky-Diode, Typ=UJ3D06520KSD, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Durchlassspannung (Vf)=1.5 V, Kapazität=654 pF, Leistungsverteilung (PV)=272.8 W,... |
United Silicon Carbide UJ3D06520KSD |
ab CHF 9.48*
pro Stück |
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