| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1007572 Herst.-Nr.: MJD127T4G EAN/GTIN: 5059042300932 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Gleichstromverstärkung min. = 100 Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4,5 V Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4 V Kollektor-Abschaltstrom max. = 0.01mA Betriebstemperatur min. = –65 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | Dauer-Kollektorstrom max.: | 8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 4,5 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 4 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 0.01mA | Betriebstemperatur min.: | –65 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, onsemi transistor, 1007572, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MJD127T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |