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| Artikel-Nr.: 3794E-1031567 Herst.-Nr.: STB80NF55L-06T4 EAN/GTIN: 5059042010695 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = STripFET II Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 300 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V Länge = 10.4mm Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Serie: | STripFET II | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Länge: | 10.4mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, mosfet 80a, 1031567, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB80NF55L06T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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