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| Artikel-Nr.: 3794E-1216310 Herst.-Nr.: NTTFS5116PLTAG EAN/GTIN: 5059042234046 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = WDFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 72 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3V Verlustleistung max. = 40 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 3.15mm Höhe = 0.75mm
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | WDFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 72 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 40 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.15mm | Höhe: | 0.75mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 1216310, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTTFS5116PLTAG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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