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| Artikel-Nr.:
3794E-1220161 Herst.-Nr.:
MBRB3030CTT4G EAN/GTIN:
5059042220599 |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Dauer-Durchlassstrom max. = 30A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 30V
Diodenkonfiguration = Gemeinsame Kathode
Gleichrichter-Typ = Schalt
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 670mV
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Diodentechnologie = Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 200A
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV-, SBR- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet. On Semiconductor Schottky-Dioden. Dieser on Semiconductor Schottky-Leistungsgleichrichter verwendet das Schottky-Barriereprinzip mit einem Sperrmetall, um den besten Durchlassspannungs-Rückstromwechsel zu erzielen. Geeignet für Niederspannungs-, Hochfrequenzgleichrichtung sowie eine Freilauf- und Polaritätsschutzdiode in einer Reihe von SMD-Anwendungen, wo immer eine kompaktere Größe und ein größeres Gewicht entscheidend sind. bleifrei entwickelt für optimale automatisierte Platinenmontage Belastungsschutz Epoxidharz-Spritzgussgehäuse Leichtes 11,7-mg-Gehäuse Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Dauer-Durchlassstrom max.: | 30A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 30V | Diodenkonfiguration: | Gemeinsame Kathode | Gleichrichter-Typ: | Schalt | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 670mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Diodentechnologie: | Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 200A |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor diode, smd diode, 1220161, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, MBRB3030CTT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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