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onsemi SuperFET II FCH041N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 595 W, 3-Pin TO-247
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-1241458
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FCH041N60F
EAN/GTIN:
5059042096484
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 76 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = SuperFET II
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
76 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Serie:
SuperFET II
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
41 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
595 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
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