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| Artikel-Nr.:
3794E-1242933 Herst.-Nr.:
CY15B104Q-SXI EAN/GTIN:
5059040032736 |
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| Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 512K x 8 bit
Interface-Typ = SPI
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 16ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 5.33 x 5.33 x 1.78mm
Länge = 5.33mm
Breite = 5.33mm
Höhe = 1.78mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
FRAM, Cypress-Halbleiter. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 4MBit | Organisation: | 512K x 8 bit | Interface-Typ: | SPI | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 16ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOIC | Pinanzahl: | 8 | Abmessungen: | 5.33 x 5.33 x 1.78mm | Länge: | 5.33mm | Breite: | 5.33mm | Höhe: | 1.78mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Bits pro Wort: | 8bit |
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| Weitere Suchbegriffe: 1242933, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, CY15B104QSXI, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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