|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1245401 Herst.-Nr.:
NTD5867NLT4G EAN/GTIN:
5059042124446 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Verlustleistung max. = 36 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.38mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 36 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.38mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: diode, d-pak diode, 1245401, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTD5867NLT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |