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| Artikel-Nr.: 3794E-1249960 Herst.-Nr.: BD243CG EAN/GTIN: 5059042035438 |
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![](/p.gif) | Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 65 W Gleichstromverstärkung min. = 20 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 10.28 x 4.82 x 15.75mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 6 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 65 W | Gleichstromverstärkung min.: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.28 x 4.82 x 15.75mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1249960, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BD243CG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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