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| Artikel-Nr.:
3794E-1250532 Herst.-Nr.:
TK10A60W,S4VX(M EAN/GTIN:
5059041130226 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = DTMOSIV
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V
Verlustleistung max. = 30 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 20 nC @ 10 V
Höhe = 15mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | DTMOSIV | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 380 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.7V | Verlustleistung max.: | 30 W | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 20 nC @ 10 V | Höhe: | 15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet, 1250532, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK10A60W,S4VX(M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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