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| Artikel-Nr.:
3794E-1301021 Herst.-Nr.:
IRLR3410TRLPBF EAN/GTIN:
5059043055114 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 79 W
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 79 W | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 1301021, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLR3410TRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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