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| Artikel-Nr.:
3794E-1364786 Herst.-Nr.:
BSH205G2R EAN/GTIN:
5059043664958 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 170 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.95V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 6,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1mm
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 170 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.95V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 6,25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1364786, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSH205G2R, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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