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| Artikel-Nr.: 3794E-1451936 Herst.-Nr.: IRL530PBF EAN/GTIN: 5059040687240 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 88 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V Länge = 10.41mm Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 15 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 160 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 88 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Länge: | 10.41mm | Höhe: | 9.01mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 1451936, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRL530PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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