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| Artikel-Nr.:
3794E-1452894 Herst.-Nr.:
MJE5731G EAN/GTIN:
5059042691689 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = -350 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 40 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 350 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 2 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.28 x 4.82 x 15.75mm
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | -350 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 40 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 350 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 2 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.28 x 4.82 x 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1452894, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE5731G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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