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| Artikel-Nr.:
3794E-1453284 Herst.-Nr.:
NGTB25N120FL3WG EAN/GTIN:
5059042690507 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 349 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.25 x 5.3 x 21.4mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
IGBT, diskret, ON Semiconductor. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 349 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1453284, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NGTB25N120FL3WG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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