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onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 100 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1454338
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGAF40N60UFTU
EAN/GTIN:
     5059042585469
Suchbegriffe:
Diode
IGBT
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 100 W
Gehäusegröße = TO-3PF
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.5 x 5.5 x 26.5mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
40 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
100 W
Gehäusegröße:
TO-3PF
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
15.5 x 5.5 x 26.5mm
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: on semiconductor igbt, igbt, 1454338, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGAF40N60UFTU, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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