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onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 650 V 349 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1454447
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGA40N65SMD
EAN/GTIN:
     5059042689006
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 349 W
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.2 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
40 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
349 W
Gehäusegröße:
TO-3PN
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
16.2 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt, 1454447, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGA40N65SMD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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