|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1454467 Herst.-Nr.:
FCA47N60 EAN/GTIN:
5059042195262 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 47 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = SuperFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 417 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 20.1mm
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 47 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | SuperFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 70 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 417 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 20.1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 1454467, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FCA47N60, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |