|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1454541 Herst.-Nr.:
HUF75339P3 EAN/GTIN:
5059042580433 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.83mm
Höhe = 9.4mm
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 75 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.83mm | Höhe: | 9.4mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 1454541, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, HUF75339P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |