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IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1461703
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MIXA450PF1200TSF
EAN/GTIN:
     5059041735834
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Dauer-Kollektorstrom max. = 650 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 2,1 kW
Gehäusegröße = SimBus F
Montage-Typ = PCB-Montage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 11
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 152 x 62 x 17mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C

IGBT-Module IXYS
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
650 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Verlustleistung max.:
2,1 kW
Gehäusegröße:
SimBus F
Montage-Typ:
PCB-Montage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
11
Transistor-Konfiguration:
Serie
Abmessungen:
152 x 62 x 17mm
Betriebstemperatur min.:
–40 °C
Weitere Suchbegriffe: 1461703, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, IXYS, MIXA450PF1200TSF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
Die Konditionen im Überblick1
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