| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1461755 Herst.-Nr.: IXFQ60N50P3 EAN/GTIN: 5059041648714 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Serie = HiperFET, Polar3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Verlustleistung max. = 1,04 kW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 4.9mm Höhe = 20.3mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Serie: | HiperFET, Polar3 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,04 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.9mm | Höhe: | 20.3mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 1461755, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFQ60N50P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |