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| Artikel-Nr.:
3794E-1463370 Herst.-Nr.:
FDMS86183 EAN/GTIN:
5059042695694 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 51 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 12,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 63 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 15 nC @ 10 V
Höhe = 1.05mm
N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 51 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 63 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 15 nC @ 10 V | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, pqfn mosfet, 1463370, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS86183, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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