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| Artikel-Nr.: 3794E-1464116 Herst.-Nr.: FDMS86183 EAN/GTIN: 5059042566789 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 51 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = PowerTrench Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 12,8 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 63 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Breite = 5.85mm Höhe = 1.05mm
N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 51 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 63 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 5.85mm | Höhe: | 1.05mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, 1464116, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS86183, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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