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| Artikel-Nr.: 3794E-1464402 Herst.-Nr.: IXYN30N170CV1 EAN/GTIN: 5059041650342 |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 680 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 4 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 38.23 x 25.42 x 9.6mm Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1700 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 680 W | Gehäusegröße: | SOT-227B | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 4 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 38.23 x 25.42 x 9.6mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1464402, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, IXYS, IXYN30N170CV1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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