Nexperia PMV65XPEAR P-Kanal, SMD MOSFET –20 V / 3,3 A 6250 mW, 3-Pin SOT-23

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,3 A
Drain-Source-Spannung max. = –20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = -1.25V
Gate-Schwellenspannung min. = -0.75V
Verlustleistung max. = 6250 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 12 V
Breite = 1.4mm
Automobilstandard = AEC-Q101

MOSFETs für den Automobilbereich, das weltweit größte Portfolio an AEC-Q101-qualifizierten Leistungs-MOSFETs – ein tiefes Verständnis der Anforderungen an das Automobilsystem und fokussierte technische Fähigkeiten ermöglichen es Nexperia, Leistungshalbleiterlösungen für ein breites Spektrum von Anwendungen anzubieten. Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.AEC-Q101-konformVerfügt über Repetitive-Avalanche-RatingGeeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund einer Nenntemperatur von 175 °CP-Kanal-Trench-MOSFET (20 V), P-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.Trench MOSFET-TechnologieSehr schnelle SchaltungVerbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 890 mWSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBMAEC-Q101-qualifiziert