|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1513030 Herst.-Nr.:
PMPB95ENEAX EAN/GTIN:
5059043686509 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN2020
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 202 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 15,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 2.1mm
Höhe = 0.65mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 202 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 15,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 2.1mm | Höhe: | 0.65mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1513030, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMPB95ENEAX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |