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| Artikel-Nr.:
3794E-1513159 Herst.-Nr.:
PMV65XPEAR EAN/GTIN:
5059043070858 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,3 A
Drain-Source-Spannung max. = –20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = -1.25V
Gate-Schwellenspannung min. = -0.75V
Verlustleistung max. = 6250 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 12 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.1mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | –20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | -1.25V | Gate-Schwellenspannung min.: | -0.75V | Verlustleistung max.: | 6250 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 12 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1513159, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV65XPEAR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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