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| Artikel-Nr.:
3794E-1513200 Herst.-Nr.:
PMPB215ENEAX EAN/GTIN:
5059043680491 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN2020
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 445 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 15,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 2.1mm
Höhe = 0.65mm
N-Kanal-Trench-MOSFET (80 V), N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem drahtlosen DFN2020MD-6 (SOT1220)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie und mittlerer Leistung.Trench MOSFET-TechnologieKleines und ultraflaches kabelloses SMD-Kunststoffgehäuse: 2 x 2 x 0,65 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungVerzinnte 100 % lötbare Seitenpads für optische LötstellenprüfungenAEC-Q101-qualifiziert Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 445 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 15,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 2.1mm | Höhe: | 0.65mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1513200, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMPB215ENEAX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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