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| Artikel-Nr.:
3794E-1527782 Herst.-Nr.:
BAS116GWX EAN/GTIN:
5059043652153 |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Sperrspannung max. = 75V
Gehäusegröße = SOD-123
Pinanzahl = 2
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Länge = 2.8mm
Breite = 1.7mm
Höhe = 1.3mm
Abmessungen = 2.8 x 1.7 x 1.3mm
Verlustleistung = 600mW
Schaltdiode mit niedrigem Leckstrom, Schaltdiode mit niedrigem Leckstrom, gekapselt in einem kleinen SOD123 SMD-Kunststoffgehäuse.Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr = 0,8 μs Geringer Leckstrom: IR = 3 pA Sich wiederholende maximale Sperrspannung VRRM ≤ 85 V Niedrige Kapazität: Cd = 2 pF Kleines SMD-Kunststoffgehäuse AEC-Q101-qualifiziert Anwendungen für geringen Leckstrom Universelles Schalten Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 75V | Gehäusegröße: | SOD-123 | Pinanzahl: | 2 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 2.8mm | Breite: | 1.7mm | Höhe: | 1.3mm | Abmessungen: | 2.8 x 1.7 x 1.3mm | Verlustleistung: | 600mW |
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| Weitere Suchbegriffe: 1527782, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Nexperia, BAS116GWX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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