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| Artikel-Nr.: 3794E-1530715 Herst.-Nr.: PMXB40UNEZ EAN/GTIN: 5059043688176 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,2 A Drain-Source-Spannung max. = 12 V Gehäusegröße = DFN1010D-3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 121 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 0.9V Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Verlustleistung max. = 8,33 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = 8 V Breite = 1.05mm Höhe = 0.36mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | DFN1010D-3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 121 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 8,33 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 8 V | Breite: | 1.05mm | Höhe: | 0.36mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1530715, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMXB40UNEZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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