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| Artikel-Nr.:
3794E-1530729 Herst.-Nr.:
PMV100ENEAR EAN/GTIN:
5059043668093 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 118 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 4,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 118 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 4,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet-transistor 3a, 1530729, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV100ENEAR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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