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| Artikel-Nr.:
3794E-1532814 Herst.-Nr.:
PDTA124EU,135 EAN/GTIN:
5059043639130 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –50 V
Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = –10 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Widerstandbestückte PNP-Transistoren, R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ, widerstandbestückter PNP-Transistor (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mA Integrierte Vorwiderstände Vereinfachter Schaltungsaufbau Verringert die Anzahl an Bauelementen Verringert die Bestückungskosten AEC-Q101-qualifiziert Digitale Anwendungen im Automobilbau und in industriellen Bereichen Steuerung von IC-Eingängen Kostengünstige Alternative zur Serie BC847/857 in digitalen Anwendungen Schalten von Lasten Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –50 V | Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | –10 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1532814, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PDTA124EU,135, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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