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| Artikel-Nr.:
3794E-1532825 Herst.-Nr.:
PBSS5360ZX EAN/GTIN:
5059043638348 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -3 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V
Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,35 W
Gleichstromverstärkung min. = 150
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –80 V
Basis-Emitter Spannung max. = –60 V
Arbeitsfrequenz max. = 130 MHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
PNP-Transistor mit niedriger VCEsat (BISS) für 60 V, 3 A, PNP-Transistor mit niedriger VCEsat, Breakthrough In Small Signal (BISS) in einem SOT223 (SC-73) SMD-Kunststoffgehäuse für mittlere Leistung. NPN-Gegenstück: PBSS4360Z.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat Hohe Kollektor-Strombelastbarkeit IC und ICM Hohe Energieeffizienz durch geringere Wärmeentwicklung AEC-Q101-qualifiziert DC/DC-Wandlung Schalten von Netzleitungen Ladegerät LCD-Hintergrundbeleuchtung Treiber in Anwendungen mit niedriger Versorgungsspannung (z. B. Leuchten und LEDs) Treiber für induktive Lasten (z. B. Relais, Summer und Motoren) Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -3 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 (SC-73) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,35 W | Gleichstromverstärkung min.: | 150 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –60 V | Arbeitsfrequenz max.: | 130 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor pnp, smd transistor, 1532825, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS5360ZX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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