Ausgangsfrequenz max. = 100MHz
Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Gehäusegröße = QFN
Versorgungsstrom max. = 63 mA
Eingangsfrequenz max. = 25MHz
Höhe = 0.85mm
Länge = 6mm
Arbeitsspannnung max. = 1,8 V
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Arbeitsspannnung min. = 1,5 V
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Breite = 6mm
Der Si522xx ist der leistungsstärkste und stromsparendste PCI-Express-Taktgenerator der Branche für 1,5-1,8-V-PCIe-Gen1/2/3/3/4- und SRIS-Anwendungen. Die Modelle Si52212, Si52208 und Si52204 können je zwölf, acht und vier 100 MHz-PCIe-Differenzial-Taktausgänge sowie einen 25-MHz-LVCMOS-Referenztakt ausgeben. Das Si52202 kann nur zwei 100-MHz-PCIe-Taktausgänge versorgen. Alle Differential-Taktausgänge sind konform mit den gemeinsamen und separaten Referenz-Taktarchitekturspezifikationen PCIe Gen1/2/3/4.Individuelle Hardware-Steuerstifte und I2C-Steuerelemente für Ausgabeaktivierung, SpreizungSpektrumsaktivierung und FrequenzauswahlDreieckige Frequenzspreizung zur EMI-Reduzierung, Down-Spread 0,25 % oder 0,5 %.Interne 100 Ω- oder 85 Ω- PhasenanpassungEinstellbare Ausgangsanstiegsgeschwindigkeit25-MHz-Quarzeingang oder -TakteingangI2C-Unterstützung mit Rücklesefunktionen Weitere Informationen:  | | Ausgangsfrequenz max.: | 100MHz | Anzahl der Elemente pro Chip: | 4 | Gehäusegröße: | QFN | Versorgungsstrom max.: | 63 mA | Eingangsfrequenz max.: | 25MHz | Höhe: | 0.85mm | Länge: | 6mm | Arbeitsspannnung max.: | 1,8 V | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Arbeitsspannnung min.: | 1,5 V | Betriebstemperatur min.: | –40 °C | Breite: | 6mm |
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