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| Artikel-Nr.: 3794E-1623285 Herst.-Nr.: IKQ75N120CT2XKSA1 EAN/GTIN: 5059043853970 |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = P Pinanzahl = 3 Schaltgeschwindigkeit = 20kHz Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 15.9 x 5.1 x 21.1mm Betriebstemperatur max. = +175 °C
Infineon reagiert auf die Marktanforderung, immer größere Mengen Silizium in kleineren, platzsparenden Gehäusen unterzubringen, und stellt das neue Gehäuse TO-247PLUS für 1200-V-IGBT vor. Höhere Strombelastbarkeit, verbessertes thermisches Verhalten. Das TO-247PLUS hat die gleichen Außenabmessungen wie der Industriestandard TO-247, aber aufgrund des fehlenden Schraublochs können bis zu 75 A bei 1200 V mit voller 75-A-Diode verpackt werden.Hohe Leistungsdichte – bis zu 75-A-1200-V-IGBT mit 75-A-Diode in TO-247-Abmessung20 % niedrigerer R th(jh) im Vergleich zu TO-247 3-PinErweiterte Kollektor-Emitter-Pin-Kriechstrecke von 4,25 mmErweiterte Clip-Kriechstrecke durch vollständig vergossene GehäusevorderseiteHöhere Leistungsdichte des Systems – Erhöhung I c bei Beibehaltung der gleichen Wärmeleistung des SystemsNiedrigerer Wärmewiderstand R th(jh) und um ∼15 % verbesserte Wärmeableitungsfähigkeit des TO-247PLUS im Vergleich zu TO-247Höhere Zuverlässigkeit, längere Lebensdauer des Gerätes Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 150 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | P | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 20kHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.9 x 5.1 x 21.1mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 1623285, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKQ75N120CT2XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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