Infineon IGBT / 150 A ±20V max. , 1200 V 938 W, 3-Pin TO-247 P-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 20kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.9 x 5.1 x 21.1mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

Infineon reagiert auf die Marktanforderung, immer größere Mengen Silizium in kleineren, platzsparenden Gehäusen unterzubringen, und stellt das neue Gehäuse TO-247PLUS für 1200-V-IGBT vor. Höhere Strombelastbarkeit, verbessertes thermisches Verhalten. Das TO-247PLUS hat die gleichen Außenabmessungen wie der Industriestandard TO-247, aber aufgrund des fehlenden Schraublochs können bis zu 75 A bei 1200 V mit voller 75-A-Diode verpackt werden.Hohe Leistungsdichte – bis zu 75-A-1200-V-IGBT mit 75-A-Diode in TO-247-Abmessung20 % niedrigerer R th(jh) im Vergleich zu TO-247 3-PinErweiterte Kollektor-Emitter-Pin-Kriechstrecke von 4,25 mmErweiterte Clip-Kriechstrecke durch vollständig vergossene GehäusevorderseiteHöhere Leistungsdichte des Systems – Erhöhung I c bei Beibehaltung der gleichen Wärmeleistung des SystemsNiedrigerer Wärmewiderstand R th(jh) und um ∼15 % verbesserte Wärmeableitungsfähigkeit des TO-247PLUS im Vergleich zu TO-247Höhere Zuverlässigkeit, längere Lebensdauer des Gerätes