STMicroelectronics Operationsverstärker Low Power SMD CMOS DFN, einzeln typ. 5 V, 6-Pin

Verstärker-Typ = Low Power
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = DFN
Stromversorgungs-Typ = Single
Anzahl der Kanäle pro Chip = 1
Pinanzahl = 6
Versorgungsspannung einzeln typ. = 5 V
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. = 11.5kHz
Ausgangs-Typ = CMOS
Flankensteilheit typ. = 2.7V/ms
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Eingangsspannung max. = 5,5 V
Länge = 1.2mm

Der Operationsverstärker TSU111 bietet einen extrem niedrigen Stromverbrauch von typischerweise 900 nA und max. 1,2 μA bei Versorgung mit 3,3 V. In Kombination mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 V bis 5,5 V ermöglichen diese Funktionen die Versorgung des TSU111 mit einer Knopfzellen-Lithiumbatterie oder einer geregelten Spannung in Anwendungen mit geringer Stromaufnahme. Hohe Genauigkeit von max. 150 μV und 11,5 kHz Bandbreite machen den TSU111 ideal für die Sensor-Signalaufbereitung, batteriebetriebene und mobile AnwendungenSub-Mikroampere-Stromverbrauch: Icc = 900 nA (typ.) bei 25 °C Geringe Offsetspannung: max. 150 μV bei 25 °C, max. 235 μV über den gesamten Temperaturbereich (–40 bis 85 °C) Niedriger Geräuschpegel über 0,1 bis 10 Hz Bandbreite: 3,6 μVpp Niedrige Versorgungsspannung: 1,5–5,5 V Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang Verstärkungs-Bandbreite-Produkt: 11,5-kHz-Typ Geringer Eingangsruhestrom: max. 10 pA bei 25 °C Hohe Toleranz gegenüber ESD: 4 kV HBM