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| Artikel-Nr.:
3794E-1628540 Herst.-Nr.:
CSD17307Q5A EAN/GTIN:
5059042723137 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 73 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = NexFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 17,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.9V
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +10 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 73 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | NexFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 17,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.9V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +10 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1628540, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD17307Q5A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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