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| Artikel-Nr.:
3794E-1629721 Herst.-Nr.:
CAS300M12BM2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = –40 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = Halbbrücke
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 9,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 1,66 kW
Transistor-Konfiguration = Serie
Gate-Source Spannung max. = –10 V, +25 V
Breite = 61.4mm
Höhe = 30mm
Leistungs-MOSFET-Module aus Siliziumkarbid, Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Module von Wolfspeed, der Power Division von Cree Inc. Diese SiC-MOSFET-Module sind in industriellen Standardgehäusen untergebracht und sind erhältlich in den Formaten Halb-Brücke (2-MOSFETs) und 3-phasig (6 MOSFETs); sie umfassen auch SiC-Sperrverzögerungsstromdioden. Typische Anwendungen umfassen Induktionsheizung, Solar- und Windenergiewechselrichter, DC/DC-Wandler, 3-phasige PFC, Leitungsregenerierungsantriebe, UPS und SMPS, Motorantriebe und Batterieladegeräte. MOSFET-Ausschaltendstrom und Diodensperrverzögerungsstrom sind effektiv Null. Ultraniedriger Verlust bei Hochfrequenzbetrieb Einfache Parallelschaltung aufgrund SiC-Eigenschaften Normalerweise Aus, ausfallsicherer Betrieb Kupfergrundplatte und Aluminiumnitridisolator reduzieren die thermischen Anforderungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | –40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | Halbbrücke | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 1,66 kW | Transistor-Konfiguration: | Serie | Gate-Source Spannung max.: | –10 V, +25 V | Breite: | 61.4mm | Höhe: | 30mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1629721, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, CAS300M12BM2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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