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| Artikel-Nr.:
3794E-1630785 Herst.-Nr.:
NJD35N04T4G EAN/GTIN:
5059042433906 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 350 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 700 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 250mA
Höhe = 2.38mm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 350 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 2000 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 2 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 700 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,5 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 250mA | Höhe: | 2.38mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, smd-transistor npn, smd transistor, transistor array on semiconductor, 1630785, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, NJD35N04T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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